[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201220174449.6 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN202796963U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 罗希特·迪克西特;M·L·莱因海默;迈克尔·D.·格林哈根;约瑟夫·A.·叶季纳科;T·彼得森;里图·苏迪希;丹·金策;克里斯托弗·L.·雷克塞尔;弗雷德·塞西诺 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体区，其包括：
栅结构；以及
源区，其中，所述源区的至少一部分与所述栅结构横向偏离；
第一金属层，其连接到所述源区；以及
第二金属层，其连接到所述栅结构；
其中，所述第一金属层和所述第二金属层的至少一部分纵向重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅结构包括栅道。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅结构包括栅焊垫。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，进一步包括：
多晶硅栅总线，其与所述栅焊垫纵向偏离；以及
配合通孔，其将所述多晶硅栅总线连接到所述栅焊垫。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属层的至少一部分在所述第一金属层的至少一部分上横向延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括金属间电介质，所述金属间电介质被配置为至少部分地将所述第一金属层与所述第二金属层隔离。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属层的至少一部分在所述源区的至少一部分上横向延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体区进一步包括：
漏区；
第一表面，其包括所述栅结构；以及
第二表面，其与所述第一表面大体上相对，所述第二表面包括所述漏区；
其中，所述源区从所述第一表面延伸到所述第二表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一表面包括所述半导体区的工作顶面；
其中，所述栅结构包括形成在所述半导体区的所述第一表面上的多晶硅栅；并且
其中，所述源区形成在所述半导体区的所述第一表面中。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括双层金属金属氧化物半导体场效应晶体管，所述双层金属金属氧化物半导体场效应晶体管包括双扩散金属氧化物半导体器件，所述双扩散金属氧化物半导体器件包括具有多个源区的有源沟槽阵列；并且
其中，所述第二金属层被配置为连接到所述多个源区中的多于一个源区。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的所述纵向重叠的部分被配置为针对所述第一金属层在所述半导体器件中提供增大的有源区。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属层的至少一部分比所述第二金属层薄。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括分段的多晶硅栅总线，其与所述第一金属层的至少一部分纵向偏离，所述分段的多晶硅栅总线被配置为允许使用通孔选择性地连接到栅道。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括掩埋栅总线，其与所述第二金属层的至少一部分纵向偏离，使用金属间电介质与所述第二金属层至少部分隔绝，并且使用至少一个通孔连接到所述第一金属层。
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