[实用新型]PECVD沉积槽有效
| 申请号： | 201220157527.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN202543320U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 孙双庆;杜颖涛;齐海洋 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;B32B15/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，包括：PECVD沉积槽本体(1)，覆盖于PECVD沉积槽本体(1)顶面的喷砂层(2)，和覆盖于喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。本实用新型提供的PECVD沉积槽，与现有技术相比，通过喷砂层(2)提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，镀铝层(3)增强了PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 沉积 | ||
【主权项】：
一种PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体(1)，其特征在于，还包括：覆盖于所述PECVD沉积槽本体(1)顶面的喷砂层(2)和覆盖于所述喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
