[实用新型]PECVD沉积槽

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏电池上镀膜PECVD设备技术领域，更具体地说，涉及一种PECVD沉积槽。

背景技术

光伏电池生产过程中，需要在光伏电池的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)的方法在硅电池片表面形成减反射膜。化学气相沉积方法，即采用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种化学气相沉积称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)。该方法借助微波或射频等使含有薄膜组成的原子的气体电离，在局部形成等离子体，由于等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在硅电池片上沉积出所期望的薄膜。

链式上镀膜PECVD工艺腔室中，将硅电池片放置在沉积槽内，氢化硅(SiH4)和氨气(NH3)在等离子状态下，在硅电池片的表面形成氮化硅(SiN)膜，增强了硅电池片对太阳光线的吸收，减少了反射。从而，在一定程度上提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。

目前，沉积槽一般采用不锈钢板压制成型，不作表面处理，直接将其应用于镀膜中。在硅电池片表面镀膜的过程中，氮化硅不可避免的会沉积到沉积槽表面，在沉积槽表面形成氮化硅粉末。由于沉积槽表面未作任何处理，其表面的粗糙度较低，且不锈钢的吸附能力也较低，使得氮化硅粉末沉积的较多时较易脱离沉积槽并掉落到硅电池片表面，严重影响了镀膜的质量，最终降低了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。

综上所述，如何减少氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，进而提高硅电池片将光能转换为电能的转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，提高了PECVD沉积槽顶面的粗糙度和吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅量较难脱落，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。

为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种PECVD沉积槽，包括：PECVD沉积槽本体，覆盖于所述PECVD沉积槽本体顶面的喷砂层和覆盖于所述喷砂层顶面的镀铝层。

优选的，上述PECVD沉积槽中，所述喷砂层的粗糙度不小于800μm。

优选的，上述PECVD沉积槽中，所述镀铝层的粗糙度不小于800μm。

优选的，上述PECVD沉积槽中，所述镀铝层的厚度在2-5μm之间。

优选的，上述PECVD沉积槽中，所述PECVD沉积槽本体为316不锈钢板槽。

优选的，上述PECVD沉积槽中，所述PECVD沉积槽本体的厚度为1.2mm。

本实用新型提供的PECVD沉积槽，包括：PECVD沉积槽本体，覆盖于PECVD沉积槽本体顶面的喷砂层和覆盖于喷砂层顶面的镀铝层。上述PECVD沉积槽，通过喷砂层提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，镀铝层增强了PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的PECVD沉积槽的结构示意图；

图2为图1中A部分的放大结构示意图。

上图1-图2中：

PECVD沉积槽本体1、喷砂层2、镀铝层3。

具体实施方式

为了引用和清楚起见，现在将本专利中涉及到的技术名词解释如下：