[实用新型]氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置有效
| 申请号： | 201220069853.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN202443973U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇;徐少颖;阎长江;李田生 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置，该氧化物半导体薄膜晶体管包括：形成于基板上的栅金属层；形成在所述栅金属层上的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层；形成在所述第一过渡层上的氧化物半导体层，所述第一过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层；以及形成在所述氧化物半导体层上的阻挡层；形成在所述阻挡层、所述氧化物半导体层、所述栅绝缘层上的源漏金属层；形成在所述源漏金属层、所述栅绝缘层及部分所述阻挡层上的钝化层。本实用新型的薄膜晶体管晶格匹配较好，具有较好的器件稳定性；用于制作显示器件时，提高了刷屏频率，并且保证了图像的质量不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体薄膜晶体管包括：形成于基板上的栅金属层；形成在所述栅金属层上的栅绝缘层；形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层；形成在所述第一过渡层上的氧化物半导体层，所述第一过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层；以及形成在所述氧化物半导体层上的阻挡层；形成在所述阻挡层、所述氧化物半导体层、所述栅绝缘层上的源漏金属层；形成在所述源漏金属层、所述栅绝缘层及部分所述阻挡层上的钝化层。
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