[实用新型]氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置有效
| 申请号： | 201220069853.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN202443973U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇;徐少颖;阎长江;李田生 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 显示装置 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体薄膜晶体管包括：
形成于基板上的栅金属层；
形成在所述栅金属层上的栅绝缘层；
形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层；
形成在所述第一过渡层上的氧化物半导体层，所述第一过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层；以及
形成在所述氧化物半导体层上的阻挡层；
形成在所述阻挡层、所述氧化物半导体层、所述栅绝缘层上的源漏金属层；形成在所述源漏金属层、所述栅绝缘层及部分所述阻挡层上的钝化层。
2.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括：形成在所述阻挡层与所述氧化物半导体层之间的第二过渡层，所述第二过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层。
3.如权利要求2所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括：形成在所述第一过渡层与所述氧化物半导体层的第三过渡层，所述第三过渡层的含氧量高于所述氧化物半导体层并低于所述第一过渡层。
4.如权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，还包括：形成在所述第二过渡层与所述氧化物半导体层之间的第四过渡层，所述第四过渡层含氧量高于所述氧化物半导体层并低于所述第二过渡层。
5.如权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层、所述第一过渡层、所述第二过渡层、所述第三过渡层与所述第四过渡层均包含：铟、镓、锌。
6.如权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第二过渡层和所述第四过渡层在沿沟道方向的长度均小于所述氧化物半导体层的长度。
7.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的沉积时氧气成分占气体百分比为10％～30％。
8.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一过渡层的沉积时氧气成分占气体百分比为30％～100％。
9.如权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第二过渡层的沉积时氧气成分占气体百分比为30％～100％，第二过渡层沉积时氧气成分占气体百分比比第一过渡层低。
10.如权利要求5或6所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述阻挡层采用SiOx结构。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～10任一所述的氧化物半导体薄膜晶体管。
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