[实用新型]集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成芯片有效

专利信息
申请号: 201220036103.X 申请日: 2012-02-06
公开(公告)号: CN202425038U 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 胡维;李刚;梅嘉欣 申请(专利权)人: 苏州敏芯微电子技术有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁;黄晓明
地址: 215006 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型揭示了一套基于SOI衬底的、“后半导体工艺”的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成芯片,其包括在完成标准半导体工艺的基片上采用低温工艺制作背极板、声音敏感膜、牺牲层等结构组成微硅麦克风,以实现微硅麦克风同基片上已有电路的集成,如此可将集成电路器件同微型硅麦克风集成在一起形成具有高灵敏度的单片集成芯片。
搜索关键词: 集成电路 电容 式微 麦克风 单片 集成 芯片
【主权项】:
一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成芯片,所述单片集成芯片设有SOI基片,所述SOI基片设有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面设有第一区域及第二区域,其中所述第一区域上生成有集成电路,所述第二区域上生成有电容式微硅麦克风,所述集成电路与所述电容式微硅麦克风电气连接在一起,其特征在于:所述电容式微硅麦克风包括设置于所述SOI基片上的第一极板、与所述第一极板相对的第二极板、位于所述第一极板与所述第二极板之间的腔体、与所述第二极板相连且用以支撑所述第二极板的锚点、设置于所述SOI基片上且贯穿所述第二表面的背腔、以及设置于所述SOI基片上且连通所述腔体与所述背腔的若干声孔,所述第一极板与所述第二极板构成麦克风电容的两个极板,其中所述第一极板为所述电容式微硅麦克风的背极板,所述第二极板为所述电容式微硅麦克风的声音敏感膜且所述第二极板的材料为多晶硅锗薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州敏芯微电子技术有限公司,未经苏州敏芯微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220036103.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top