[实用新型]集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成芯片

权利要求书

1.一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成芯片，所述单片集成芯片设有SOI基片，所述SOI基片设有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面设有第一区域及第二区域，其中所述第一区域上生成有集成电路，所述第二区域上生成有电容式微硅麦克风，所述集成电路与所述电容式微硅麦克风电气连接在一起，其特征在于：所述电容式微硅麦克风包括设置于所述SOI基片上的第一极板、与所述第一极板相对的第二极板、位于所述第一极板与所述第二极板之间的腔体、与所述第二极板相连且用以支撑所述第二极板的锚点、设置于所述SOI基片上且贯穿所述第二表面的背腔、以及设置于所述SOI基片上且连通所述腔体与所述背腔的若干声孔，所述第一极板与所述第二极板构成麦克风电容的两个极板，其中所述第一极板为所述电容式微硅麦克风的背极板，所述第二极板为所述电容式微硅麦克风的声音敏感膜且所述第二极板的材料为多晶硅锗薄膜。

2.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述SOI基片包括硅衬底、覆盖于所述硅衬底上的绝缘氧化硅层及覆盖于所述绝缘氧化硅层上的硅器件层，所述第一表面位于所述硅器件层上，所述第二表面位于所述硅衬底上，所述第一极板是由所述硅器件层形成的。

3.如权利要求2所述的单片集成芯片，其特征在于：所述背腔贯穿所述硅衬底及所述绝缘氧化硅层。

4.如权利要求2所述的单片集成芯片，其特征在于：所述声孔贯穿所述硅器件层。

5.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述第二极板为可动结构且所述声音敏感膜上开设有与所述腔体连通的窄槽。

6.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述集成电路为金属氧化物场效应晶体管，该金属氧化物场效应晶体管包括场氧化层、源漏掺杂区、栅导电层、介质绝缘层、金属导电层及钝化层。

7.如权利要求6所述的单片集成芯片，其特征在于：所述第一区域上的金属导电层及介质绝缘层进一步延伸至所述第二区域。

8.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述第二极板的材料与所述锚点相同，所述锚点连续处于所述声音敏感膜的全部边缘、或者分散的处于所述声音敏感膜的边缘的一点或多点、或者处于所述声音敏感膜的中心。

9.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述电容式微硅麦克风包括覆盖在所述第一极板上的介质绝缘层，所述锚点位于该介质绝缘层上。

10.如权利要求1所述的单片集成芯片，其特征在于：所述多晶硅锗薄膜是采用低于400℃的低压气相淀积工艺或等离子体增强气相淀积工艺而生成的。