[实用新型]大功率低压变频器IGBT驱动电路

摘要

一种大功率低压变频器IGBT驱动电路，驱动信号端IN2分别与第一CMOS管Q2、第二CMOS管Q3的栅极连接，第一CMOS管Q2的源极和第二CMOS管Q3的源极连接，第一CMOS管Q2的漏极与-8V电源连接，第二CMOS管Q3的漏极与第四CMOS管Q6的源极连接；驱动信号端IN1分别与第三CMOS管Q4和第四CMOS管Q6的栅极连接，第三CMOS管Q4的源极、第二CMOS管Q3的源极均与IGBT驱动输出端OUT连接，IGBT驱动输出端OUT通过电阻R9与-8V电源连接；第三CMOS管Q4的的漏极与+18V电源连接，第三CMOS管Q4的源极同时与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极与+18V电源连接。本实用新型能降低生产成本、提高可靠性。

主权项

一种大功率低压变频器IGBT驱动电路，包括IGBT驱动输出端OUT、正常IGBT驱动信号端IN1和关断延时的IGBT驱动信号端IN2，其特征在于：所述驱动电路包括第一CMOS管Q2、第二CMOS管Q3、第三CMOS管Q4和第四CMOS管Q6，所述驱动信号端IN2分别与第一CMOS管Q2、第二CMOS管Q3的栅极连接，第一CMOS管Q2的源极和第二CMOS管Q3的源极连接，第一CMOS管Q2的漏极与‑8V电源连接，所述第二CMOS管Q3的漏极与第四CMOS管Q6的源极连接；所述驱动信号端IN1分别与第三CMOS管Q4和第四CMOS管Q6的栅极连接，所述第三CMOS管Q4的源极、第二CMOS管Q3的源极均与IGBT驱动输出端OUT连接，所述IGBT驱动输出端OUT通过电阻R9与‑8V电源连接；所述第三CMOS管Q4的的漏极与+18V电源连接，所述第三CMOS管Q4的源极同时与二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与+18V电源连接，所述二极管的阴极同时与电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端同时与第二CMOS管Q3的漏极、第四CMOS管Q6的源极连接，所述第一电容C2和稳压二极管D2并联形成并联支路，所述第四CMOS管Q6的的漏极与并联支路的一端连接，所述并联支路的另一端接地，所述并联支路的另一端与第二电容C4的一端连接，所述第二电容C4的另一端与电阻R7的另一端连接。