[发明专利]等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置有效
| 申请号： | 201210593652.1 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915307A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置，本发明在所述环形气体注入管道内壁设置若干气体注入口，并且使得所述气体输出的方向与所述气体注入口指向所述环形气体注入管道圆心的方向呈一锐角，确保气体注入反应腔后在解离区域内形成涡流状分布，延缓了气体下沉的速率，延长了气体到达基片的走行距离，使得气体在解离区域内尽可能的得到解离，与传统的垂直所述环形气体注入管道内壁的气体注入口相比，气体下沉速率减慢，气体解离率提高，从而提高了反应气体的利用效率，同时由于反应腔内等离子体浓度升高，提高了刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 用于 气体 注入 装置 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理室的气体注入装置，所述装置包括环形气体注入管道，所述环形气体注入管道内壁设置若干气体注入口，其特征在于：所述气体输出的方向与所述气体注入口指向所述环形气体注入管道圆心的方向呈一锐角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210593652.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子体处理腔室及其静电夹盘以及基片温度控制方法
- 下一篇：一种薄膜开关
