[发明专利]微结构保角性转移方法

摘要

本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。

主权项

一种微结构保角性转移方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供XOI衬底，所述XOI衬底自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜；2)在所述顶层X纳米薄膜上涂覆预设图形的光刻胶，所述预设图形为哑铃状；3)对所述顶层X纳米薄膜进行刻蚀以将所述顶层X纳米薄膜进行图案化，形成预设图形的微结构；所述微结构包括两端区域及连接于所述两端区域之间的中间图形；4)采用湿法腐蚀将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述中间图形完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层； 5)提供一基板，将所述基板与所述微结构相接触，并迅速提起以将所述微结构自所述未被腐蚀掉的埋氧层处撕裂并转移到所述基板上，所述微结构两端区域与所述未被完全腐蚀掉的埋氧层相接触的部分留在所述未被完全腐蚀掉的埋氧层上。