[发明专利]微结构保角性转移方法有效
| 申请号： | 201210593568.X | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103021818A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;郭庆磊;张苗;魏星;薛忠营;母志强;戴佳赟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微结构 保角性 转移 方法 | ||
1.一种微结构保角性转移方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1)提供XOI衬底，所述XOI衬底自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜；
2)在所述顶层X纳米薄膜上涂覆预设图形的光刻胶，所述预设图形为哑铃状；
3)对所述顶层X纳米薄膜进行刻蚀以将所述顶层X纳米薄膜进行图案化，形成预设图形的微结构；所述微结构包括两端区域及连接于所述两端区域之间的中间图形；
4)采用湿法腐蚀将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述中间图形完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层；
5)提供一基板，将所述基板与所述微结构相接触，并迅速提起以将所述微结构自所述未被腐蚀掉的埋氧层处撕裂并转移到所述基板上，所述微结构两端区域与所述未被完全腐蚀掉的埋氧层相接触的部分留在所述未被完全腐蚀掉的埋氧层上。
2.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述刻蚀采用反应离子刻蚀。
3.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述顶层X纳米薄膜的X为硅、锗或III-V族化合物。
4.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述顶层X纳米薄膜的厚度范围为10nm~200nm。
5.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述基板为柔性衬底。
6.根据权利要求5所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述柔性衬底的材料为聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯或蚕丝蛋白。
7.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述中间图形为微米带或亚微米带。
8.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述中间图形的宽度范围为1μm~500μm。
9.根据权利要求1所述的微结构保角性转移方法，其特征在于：所述湿法腐蚀采用氢氟酸或BOE溶液。
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