[发明专利]半导体存储器及其制造方法有效
申请号: | 201210592882.6 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103310833A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 廖忠志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了半导体存储器及其制造方法。其中,一种半导体存储器包括:集成电路(IC)内的第一位单元、以及同一IC内的第二位单元。第一位单元具有第一布局,第二位单元具有不同于第一布局的第二布局。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器,包括:集成电路(IC)内的第一位单元,所述第一位单元具有第一布局;以及在与所述第一位单元相同的所述IC内的第二位单元,所述第二位单元具有第二布局,其中,所述第一布局不同于所述第二布局。
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