[发明专利]发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201210589129.1 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103904194A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张耀祖;陈滨全;陈隆欣;罗杏芬 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括：提供导线架，所述导线架包括收容框，电极结构位于所述收容框内并与所述收容框固定连接；在所述收容框内形成覆盖所述电极结构上表面的封装层，且使所述电极结构的下表面外露于封装层；提供发光二极管晶粒，并将所述发光二极管晶粒设置在所述封装层的凹杯中，且使所述发光二极管晶粒分别电性连接至所述电极结构；提供一检测系统，并采用该检测系统对每一发光二极管依次进行检测；切割所述导线架及封装层形成多个发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供导线架，所述导线架包括收容框，电极结构位于所述收容框内并与所述收容框固定连接；在所述收容框内形成覆盖所述电极结构上表面的封装层，且使所述电极结构的下表面外露于封装层；提供发光二极管晶粒，并将所述发光二极管晶粒设置在所述封装层的凹杯中，且使所述发光二极管晶粒分别电性连接至所述电极结构；提供一检测系统，并采用该检测系统对每一发光二极管依次进行检测；切割所述导线架及封装层形成多个发光二极管。
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