[发明专利]发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201210589129.1 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103904194A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张耀祖;陈滨全;陈隆欣;罗杏芬 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法，特别设计一种发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种照明场合之中，并大有取代传统光源的趋势。
现有的发光二极管的制造方法通常包括提供一基板，在该基板上形成两电极，然后在电极上形成与其电性连接的一发光芯片，再在该基板上形成一覆盖该电极及发光芯片的封装体，从而形成一发光二极管。而需要制造多个发光二极管的时候，就需要不断重复上述过程，从而使得制造过程复杂，效率降低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种效率高的发光二极管的制造方法。
一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：
提供导线架，所述导线架包括收容框，电极结构位于所述收容框内并与所述收容框固定连接；
在所述收容框内形成覆盖所述电极结构上表面的封装层，且使所述电极结构的下表面外露于封装层；
提供发光二极管晶粒，并将所述发光二极管晶粒设置在所述封装层的凹杯中，且使所述发光二极管晶粒分别电性连接至所述电极结构；
提供一检测系统，并采用该检测系统对每一发光二极管依次进行检测；
切割所述导线架及封装层形成多个发光二极管。
本发明的发光二极管的制造方法中，通过在导线架内设置收容框，多个电极结构位于所述收容框内并与所述收容框固定连接，从而可同时制造多个发光二极管，无需不断重复操作单独制造一个发光二极管的过程，有利于简化工序，提高发光二极管的制造效率。
下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明的发光二极管制造方法的步骤流程示意图。
图2至图9为本发明的发光二极管制造方法的制造步骤示意图。
主要元件符号说明
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