[发明专利]形成半导体器件的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体器件的方法，该方法可以包括在基板的硅部分上形成金属层；金属层与硅部分反应以形成金属硅化物。在金属层发生反应之后，可以利用电解的硫酸溶液去除金属层的未反应的残余物。更具体地，在电解的硫酸溶液中硫酸的体积可以在电解的硫酸溶液的总体积的大约70%至大约95%范围内，电解的酸溶液中氧化剂的浓度可以在大约7g/L至大约25g/L的范围内，电解的硫酸溶液的温度可以在大约130℃至大约180℃的范围内。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：在硅基板中形成第一和第二有源区，其中所述第一和第二有源区具有相反的导电类型，其中所述第一和第二有源区被器件隔离层围绕；在所述第一有源区上形成第一栅极，其中所述第一栅极包括在所述第一有源区上的第一栅绝缘层和在所述第一栅绝缘层上的第一栅电极；在所述第二有源区上形成第二栅极，其中所述第二栅极包括在所述第二有源区上的第二栅绝缘层和在所述第二栅绝缘层上的第二栅电极；在所述第一栅极的相对两侧的所述第一有源区中形成第一源/漏区；在所述第二栅极的相对两侧的所述第二有源区中形成第二源/漏区；在第一源/漏区的至少一个和第二源/漏区的至少一个上形成金属层；所述金属层与所述第一源/漏区的所述至少一个反应以及所述金属层与所述第二源/漏区的所述至少一个反应，以在所述第一源/漏区的所述至少一个和所述第二源/漏区的所述至少一个上形成金属硅化物；以及在所述金属层发生反应之后，利用电解的硫酸溶液去除所述金属层的未反应的残余物，其中所述金属层包括镍，所述第一和第二栅电极包括钨、钼、钛氮化物、钨氮化物和钽氮化物中的至少之一。