[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在硅基板中形成第一和第二有源区，其中所述第一和第二有源区具有相反的导电类型，其中所述第一和第二有源区被器件隔离层围绕；

在所述第一有源区上形成第一栅极，其中所述第一栅极包括在所述第一有源区上的第一栅绝缘层和在所述第一栅绝缘层上的第一栅电极；

在所述第二有源区上形成第二栅极，其中所述第二栅极包括在所述第二有源区上的第二栅绝缘层和在所述第二栅绝缘层上的第二栅电极；

在所述第一栅极的相对两侧的所述第一有源区中形成第一源/漏区；

在所述第二栅极的相对两侧的所述第二有源区中形成第二源/漏区；

在第一源/漏区的至少一个和第二源/漏区的至少一个上形成金属层；

所述金属层与所述第一源/漏区的所述至少一个反应以及所述金属层与所述第二源/漏区的所述至少一个反应，以在所述第一源/漏区的所述至少一个和所述第二源/漏区的所述至少一个上形成金属硅化物；以及

在所述金属层发生反应之后，利用电解的硫酸溶液去除所述金属层的未反应的残余物，

其中所述金属层包括镍，所述第一和第二栅电极包括钨、钼、钛氮化物、钨氮化物和钽氮化物中的至少之一。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅电极包括在所述第一栅绝缘层上的金属氧化物层以及在所述金属氧化物层上的金属氮化物层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述金属氧化物层是第一金属氧化物层，其中所述金属氮化物层是第一金属氮化物层，其中所述第二栅电极包括在所述第二栅绝缘层上的第二金属氮化物层、在所述第二金属氮化物层上的第二金属氧化物层以及在所述第二金属氧化物层上的第三金属氮化物层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一栅极在所述第一金属氧化物层和所述第一栅绝缘层之间不具有氮化物。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第一和第二栅极之前，在所述第二有源区上选择性地形成包括锗的半导体层，同时保持所述第一有源区不具有包括锗的所述半导体层。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述金属层之前，在所述第二栅极的侧壁上形成侧壁间隔物，其中所述第二栅电极的一部分在所述侧壁间隔物与所述器件隔离层之间延伸。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层发生反应包括执行第一热处理，该方法还包括：

在去除所述未反应的残余物之后，在超过所述第一热处理的最高温度的温度下执行第二热处理。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

在执行所述第二热处理之后，使用王水清洁包括所述金属硅化物的所述半导体器件的表面。

9.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

在硅基板上形成栅极，其中所述栅极包括在所述硅基板上的栅绝缘层和在所述栅绝缘层上的栅电极，其中所述栅电极包括在所述栅绝缘层上的第一金属层；

在所述栅极的相对两侧的所述硅基板中形成源/漏区；

在所述源/漏区的至少一个上形成第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层包括不同的金属；

所述第二金属层与所述源/漏区的所述至少一个发生反应以在所述源/漏区的所述至少一个上形成金属硅化物；以及

在所述金属层发生反应之后，使用蚀刻溶液去除所述第二金属层的未反应的残余物，其中所述第二金属层关于所述蚀刻溶液的蚀刻速率显著大于所述第一金属层关于所述蚀刻溶液的蚀刻速率，

其中所述第一金属层包括钨、钼、钛氮化物、钨氮化物和钽氮化物中的至少之一，其中所述第二金属层包括镍。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻溶液包括电解的硫酸。