[发明专利]一种制备场发射阴极的处理方法无效
| 申请号： | 201210580728.7 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021764A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李岗;国欣鑫;张晓辉 | 申请（专利权）人： | 青岛艾德森能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 发射 阴极 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355‑375K保温30‑40分钟，然后再升温至460‑500K后保温80‑100分钟，然后再升温至660‑680K后保温90‑120分钟，最后自然冷却。
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