[发明专利]一种制备场发射阴极的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制备场发射阴极的处理方法。

背景技术

场发射阴极，又称为场发射体，使用场发射阴极的场致发射电子源应用领域广泛，但是场发射阴极的制备工艺是目前阻碍其应用的关键，因此，场发射阴极的制备工艺成为研究的热点。

因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、性能良好的场发射体制备方法成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。

有益效果

本发明制备的场发射阴极经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至355K保温30分钟，然后再升温至460K后保温80分钟，然后再升温至660K后保温90分钟，最后自然冷却。

实施例2

该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至375K保温40分钟，然后再升温至500K后保温100分钟，然后再升温至680K后保温120分钟，最后自然冷却。

实施例3

该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至365K保温35分钟，然后再升温至480K后保温90分钟，然后再升温至670K后保温105分钟，最后自然冷却。