[发明专利]晶体硅太阳能电池镀膜方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池镀膜方法，其包括以下步骤：首先，将硅片放入石英舟内，进行进舟。之后，通入氮气升温至380-450℃，维持5-15分钟。然后，通入氨气并开启射频进行预清洗，维持5-8分钟。接着，通入氨气与硅烷，开启射频进行等离子溅射沉积12-14分钟。最后，出舟冷却。有此，能够提升太阳能电池的光电转换效率。同时，去掉预清洗步骤后，能够针对现有的加工步骤缩短生产时间，提升生产产能。由于缩短了不必要的步骤，节省氨气使用量，降低生产成本。再者，本发明所采用的方法，整体步骤简便，且无需增加额外工序步骤和物料，节省了生产成本且有利于推广。

主权项

晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，将硅片放入石英舟内，进行进舟；步骤②，通入氮气升温至380‑450℃，维持5‑15分钟；步骤③，通入氨气并开启射频进行预清洗，维持5‑8分钟；步骤④，通入氨气与硅烷，开启射频进行等离子溅射沉积12‑14分钟；步骤⑤，出舟；步骤⑥，冷却。