[发明专利]晶体硅太阳能电池镀膜方法

权利要求书

1.晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤①，将硅片放入石英舟内，进行进舟；

步骤②，通入氮气升温至380-450℃，维持5-15分钟；

步骤③，通入氨气并开启射频进行预清洗，维持5-8分钟；

步骤④，通入氨气与硅烷，开启射频进行等离子溅射沉积12-14分钟；

步骤⑤，出舟；

步骤⑥，冷却。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：步骤①所述的进舟时间为1-3分钟。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：步骤②中，通入氮气升温至410℃，维持10分钟。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：步骤③所述的预清洗中，通入流量为5升/分钟的氨气开射频预清洗5分钟。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述的步骤④中通入流量为5-9升/分钟氨气和600-800毫升/分钟硅烷，开射频等离子溅射沉积13.3分钟。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于：步骤⑥所述的冷却时间为6-9分钟。