[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210575487.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103325822A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGan/GaN HEMT，其包括在SiC衬底上的层叠化合物半导体结构以及形成在层叠化合物半导体结构上的栅电极，其中在层叠化合物半导体结构的与栅电极对准的下部区域中p型杂质(Mg)和氧(O)局域化为使得在层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：层叠化合物半导体结构；以及形成在所述层叠化合物半导体结构上的电极，其中在所述层叠化合物半导体结构的与所述电极对准的下部区域中p型杂质局域化为使得在所述层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。
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