[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

层叠化合物半导体结构；以及

形成在所述层叠化合物半导体结构上的电极，

其中在所述层叠化合物半导体结构的与所述电极对准的下部区域中p型杂质局域化为使得在所述层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中在所述层叠化合物半导体结构的与所述电极对准的所述下部区域中所述p型杂质和氧局域化为使得在所述层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，还包括形成在所述层叠化合物半导体结构与所述电极之间的绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，其中所述绝缘膜是用作所述p型杂质的热扩散源的所述p型杂质的化合物层。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型杂质是Mg和Be中的一种。

6.一种用于制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：

在层叠化合物半导体结构上的待形成电极的区域中形成掺杂有p型杂质的化合物层；以及

对所述化合物层进行热处理以使所述化合物层的所述p型杂质扩散到使得在所述层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。

7.根据权利要求6所述的用于制造化合物半导体器件的方法，其中对形成为覆盖所述层叠化合物半导体结构的上部的所述化合物层进行湿法蚀刻，以留下待形成电极的所述区域中的所述化合物层。

8.根据权利要求6或7所述的用于制造化合物半导体器件的方法，其中形成保护膜以覆盖所述化合物层，并且对覆盖有所述保护膜的所述化合物层进行所述热处理。

9.根据权利要求6所述的用于制造化合物半导体器件的方法，还包括：

在所述热处理之后，移除所述化合物层；以及

在待形成电极的所述区域中形成栅电极。

10.根据权利要求6所述的用于制造化合物半导体器件的方法，还包括：

在所述热处理之后，在所述化合物层上形成栅电极。