[发明专利]一种紧凑型低温二次谐波混频器基座

摘要

一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，包括：热传导支撑和基座主体；基座主体包括信号输入波导结构、参考信号输入波导结构、混频芯片槽、高频转接腔和输出信号端口；其中L形的热传导支撑包括水平接触面，垂直接触面和垂直接触面上的镂空结构，基座主体与热传导支撑固定在一起；在信号输入波导结构中设有待测信号输入口、待测信号输入波导、参考信号输入波导过渡段和待测信号输入半高波导，在参考信号输入波导结构中同样设有与之匹配的参考信号输入口、参考信号输入波导、参考信号输入波导过渡段和参考信号输入半高波导，混频芯片槽将信号输入波导结构、参考信号输入波导结构及高频转接腔联通在一起。本发明能实现在低温环境下毫米波频段混频器的非稀疏采集。

主权项

一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于包括：热传导支撑(1)和基座主体(7)；基座主体(7)包括信号输入波导结构(2)、参考信号输入波导结构(3)、混频芯片槽(4)、高频转接腔(5)和输出信号端口(6)；L型的热传导支撑(1)底面为水平接触面，侧面为垂直接触面且垂直接触面上有镂空结构，所述基座主体(7)与热传导支撑(1)的垂直接触面固定在一起且基座主体(7)的信号输入波导结构(2)从热传导支撑(1)侧面上的镂空结构中探出；用于输入参考信号的参考信号输入波导结构(3)和用于输入待测信号的信号输入波导结构(2)位于所述基座主体(7)的相互对立的两个端面；所述信号输入波导结构(2)又包括待测信号输入口(21)、待测信号输入波导(22)、待测信号输入波导过渡段(23)和待测信号输入半高波导(25)；所述参考信号输入波导结构(3)又包括参考信号输入口(31)、参考信号输入波导(32)、参考信号输入波导过渡段(33)和参考信号输入半高波导(35)；所述待测信号输入口(21)位于所述信号输入波导结构(2)从热传导支撑(1)侧面镂空结构中探出部分的端面上，待测信号输入波导(22)从所述待测信号输入口(21)深入到所述基座主体(7)的内部，待测信号输入波导(22)和待测信号输入半高波导(25)之间通过信号输入波导过渡段(23)连接为一体，待测信号输入半高波导(25)上留有信号输入端信号耦合口(24)；所述参考信号输入口(31)位于所述基座主体(7)与热传导支撑(1)侧面相接触端面的对立面上，参考信号输入波导(32)从所述参考信号输入口(31)深入到所述基座主体(7)的内部，参考信号输入波导(32)和参考信号输入半高波导(35)之间通过参考信号输入波导过渡段(33)连接为一体，参考信号输入半高波导(35)上留有参考信号输入端信号耦合口(34)；混频芯片槽(4)的一端通过所述信号输入端信号耦合口(24)与待测信 号输入半高波导(25)联通，另一端通过所述参考信号输入端信号耦合口(34)与高频转接腔(5)联通，同时，混频芯片槽(4)还穿过参考信号输入半高波导(35)将高频转接腔(5)、参考信号输入波导结构(3)和信号输入波导结构(2)联通在一起；输出信号端口(6)与高频转接腔(5)连接作为所述紧凑型低温二次谐波混频器基座的信号输出口。