[发明专利]一种紧凑型低温二次谐波混频器基座

权利要求书

1.一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于包括：热传导支撑(1)和基座主体(7)；基座主体(7)包括信号输入波导结构(2)、参考信号输入波导结构(3)、混频芯片槽(4)、高频转接腔(5)和输出信号端口(6)；

L型的热传导支撑(1)底面为水平接触面，侧面为垂直接触面且垂直接触面上有镂空结构，所述基座主体(7)与热传导支撑(1)的垂直接触面固定在一起且基座主体(7)的信号输入波导结构(2)从热传导支撑(1)侧面上的镂空结构中探出；

用于输入参考信号的参考信号输入波导结构(3)和用于输入待测信号的信号输入波导结构(2)位于所述基座主体(7)的相互对立的两个端面；

所述信号输入波导结构(2)又包括待测信号输入口(21)、待测信号输入波导(22)、待测信号输入波导过渡段(23)和待测信号输入半高波导(25)；

所述参考信号输入波导结构(3)又包括参考信号输入口(31)、参考信号输入波导(32)、参考信号输入波导过渡段(33)和参考信号输入半高波导(35)；

所述待测信号输入口(21)位于所述信号输入波导结构(2)从热传导支撑(1)侧面镂空结构中探出部分的端面上，待测信号输入波导(22)从所述待测信号输入口(21)深入到所述基座主体(7)的内部，待测信号输入波导(22)和待测信号输入半高波导(25)之间通过信号输入波导过渡段(23)连接为一体，待测信号输入半高波导(25)上留有信号输入端信号耦合口(24)；

所述参考信号输入口(31)位于所述基座主体(7)与热传导支撑(1)侧面相接触端面的对立面上，参考信号输入波导(32)从所述参考信号输入口(31)深入到所述基座主体(7)的内部，参考信号输入波导(32)和参考信号输入半高波导(35)之间通过参考信号输入波导过渡段(33)连接为一体，参考信号输入半高波导(35)上留有参考信号输入端信号耦合口(34)；

混频芯片槽(4)的一端通过所述信号输入端信号耦合口(24)与待测信号输入半高波导(25)联通，另一端通过所述参考信号输入端信号耦合口(34)与高频转接腔(5)联通，同时，混频芯片槽(4)还穿过参考信号输入半高波导(35)将高频转接腔(5)、参考信号输入波导结构(3)和信号输入波导结构(2)联通在一起；输出信号端口(6)与高频转接腔(5)连接作为所述紧凑型低温二次谐波混频器基座的信号输出口。

2.根据权利要求1所述的一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于：所述待测信号输入半高波导(25)和待测信号输入波导(22)均为矩形波导且待测信号输入半高波导(25)的高度是待测信号输入波导(22)高度的一半。

3.根据权利要求1所述的一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于：所述待测信号输入波导(22)和参考信号输入波导(32)均与热传导支撑(1)的底面水平接触面平行。

4.根据权利要求1所述的一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于：所述混频芯片槽(4)与待测信号输入波导(22)和参考信号输入波导(32)均垂直。

5.根据权利要求1所述的一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于：所述输出信号端口(6)与待测信号输入波导(22)和参考信号输入波导(32)均平行。

6.根据权利要求1所述的一种紧凑型低温二次谐波混频器基座，其特征在于：所述输出信号端口(6)的开口方向与待测信号输入口(21)的开口方向相同。