[发明专利]二次电池用正极及二次电池用正极的制造方法有效
| 申请号： | 201210571579.8 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103178239B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 山梶正树;野元邦治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 顾敏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 正极活性物质层具有多个粒子状正极活性物质以及被还原的氧化石墨烯与侧链具有官能团的聚合物结合的反应物。被还原的氧化石墨烯为薄片状，并且其导电性高，所以被还原的氧化石墨烯与多个粒子状正极活性物质接触而用作导电助剂。并且，由于被还原的氧化石墨烯与聚合物结合，所以该反应物还用作优良的粘合剂。因此，少量的被还原的氧化石墨烯与聚合物共价键的反应物也能够用作优良的导电助剂兼粘合剂。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 正极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二次电池用正极，包括：集电体上的正极活性物质层，其中，所述正极活性物质层包括：多个粒子状正极活性物质；氧化石墨烯；以及作为侧链具有氨基的聚合物，该聚合物与所述氧化石墨烯共价结合，所述氧化石墨烯和所述聚合物的反应物的FT‑IR光谱具有在1050cm‑1附近的起因于C‑N键的宽峰，并且，所述氧化石墨烯的至少一部分与所述多个粒子状正极活性物质中的至少一个接触。
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