[发明专利]具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明公开一种具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法。该薄膜晶体管基板包括：在基板上形成的栅极；栅极绝缘层，用于覆盖所述栅极的一些部分并且暴露所述栅极的其它部分；半导体有源层，在所述栅极绝缘层上与所述栅极的所述一些部分重叠；栅极线，用于接触所述栅极的所述其它部分并且沿所述基板的水平方向延伸；中间绝缘层，用于暴露所述半导体有源层的中间部分并且覆盖所述栅极线和所述栅极；在所述中间绝缘层上沿所述基板的垂直方向延伸的数据线；源极，从所述数据线分支并且接触所述半导体有源层的一侧；和漏极，所述漏极面对所述源极并且以预定距离与所述源极隔开，并且所述漏极接触所述半导体有源层的另一侧。

主权项

一种薄膜晶体管基板，包括：在基板上形成的栅极；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层用于覆盖所述栅极的一些部分并且暴露所述栅极的其它部分；半导体有源层，所述半导体有源层在所述栅极绝缘层上与所述栅极的所述一些部分重叠；栅极线，所述栅极线用于接触所述栅极的所述其它部分并且沿所述基板的水平方向延伸；中间绝缘层，所述中间绝缘层用于暴露所述半导体有源层的中间部分并且覆盖所述栅极线和所述栅极；在所述中间绝缘层上沿所述基板的垂直方向延伸的数据线；源极，所述源极从所述数据线分支并且接触所述半导体有源层的一侧；和漏极，所述漏极面对所述源极并且以预定距离与所述源极隔开，并且所述漏极接触所述半导体有源层的另一侧。