[发明专利]具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

在基板上形成的栅极；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层用于覆盖所述栅极的一些部分并且暴露所述栅极的其它部分；

半导体有源层，所述半导体有源层在所述栅极绝缘层上与所述栅极的所述一些部分重叠；

栅极线，所述栅极线用于接触所述栅极的所述其它部分并且沿所述基板的水平方向延伸；

中间绝缘层，所述中间绝缘层用于暴露所述半导体有源层的中间部分并且覆盖所述栅极线和所述栅极；

在所述中间绝缘层上沿所述基板的垂直方向延伸的数据线；

源极，所述源极从所述数据线分支并且接触所述半导体有源层的一侧；和

漏极，所述漏极面对所述源极并且以预定距离与所述源极隔开，并且所述漏极接触所述半导体有源层的另一侧。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

钝化层，所述钝化层用于覆盖所述源极和所述漏极；

像素接触孔，所述像素接触孔用于通过穿透所述钝化层来暴露所述漏极的一些部分；和

像素电极，所述像素电极用于通过所述像素接触孔接触所述漏极。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，还包括：

布置在所述钝化层上以及所述像素电极的下方的滤色器层；和

布置在所述像素电极的下方并用于覆盖所述滤色器层的涂覆层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中所述滤色器层填充由所述栅极线和所述数据线围绕的像素区域的内部区域，并且覆盖与包括所述半导体有源层的薄膜晶体管相对应的区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述栅极线包含铜材料。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述数据线包括具有铜的低电阻层和具有钼的保护层。

7.一种用于制造薄膜晶体管基板的方法，包括：

在基板上沉积栅极金属材料、栅极绝缘材料和金属氧化物半导体材料，然后实施热处理；

通过对所述栅极金属材料、所述栅极绝缘材料和所述金属氧化物半导体材料进行图案化，形成栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；

形成栅极线，所述栅极线用于接触所述栅极的一些部分并且在所述基板上沿水平方向延伸；

形成中间绝缘层，所述中间绝缘层用于覆盖所述栅极线和所述栅极并且暴露所述半导体有源层的中间部分；以及

形成数据线、源极和漏极，其中所述数据线在所述中间绝缘层上沿垂直方向延伸，所述源极从所述数据线分支并且接触所述半导体有源层的一侧，所述漏极面对所述源极并且以预定距离与所述源极隔开，并且所述漏极接触所述半导体有源层的另一侧。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

形成钝化层，所述钝化层用于覆盖所述数据线、所述源极和所述半导体有源层并且包括用于暴露所述漏极的一些部分的像素接触孔；以及

在所述钝化层上形成用于通过所述像素接触孔接触所述漏极的像素电极。

9.如权利要求8所述的方法，在形成所述像素电极之前，还包括：

在所述钝化层上形成滤色器层，所述滤色器层填充由所述栅极线和所述数据线围绕的像素区域，并且覆盖与包括所述半导体有源层的薄膜晶体管相对应的区域；以及

形成用于覆盖所述滤色器层的涂覆层。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述栅极线包含铜材料。

11.如权利要求7所述的方法，其中通过依次地沉积具有钼的保护层和具有铜的低电阻层并且对所述保护层和所述低电阻层进行图案化来形成所述数据线、所述源极和所述漏极。

12.如权利要求11所述的方法，其中利用干蚀刻工艺来对所述具有钼的保护层进行图案化。