[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成垫氧化层，在所述垫氧化层表面形成研磨阻挡层，在所述研磨阻挡层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述研磨阻挡层和垫氧化层表面进行刻蚀，形成第二开口，所述第二开口贯穿所述研磨阻挡层、垫氧化层及部分深度的半导体衬底，所述半导体衬底内的第二开口侧壁具有一定的倾斜度。由于在垫氧化层的刻蚀工艺中，刻蚀所述垫氧化层的同时在第二开口侧壁形成聚合物，使得半导体衬底内的第二开口侧壁具有一定的倾斜度，且后续形成的沟槽的侧壁也具有一定的倾斜度，使得最终形成的浅沟槽隔离结构的侧壁光滑，没有突起，不会影响浅沟槽隔离结构的绝缘性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成垫氧化层，在所述垫氧化层表面形成研磨阻挡层，在所述研磨阻挡层上形成用于准分子激光光刻的光刻胶层；利用准分子激光光刻工艺对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第一开口；以具有第一开口的光刻胶层为掩膜，对所述研磨阻挡层和垫氧化层进行刻蚀，形成第二开口，所述第二开口贯穿所述研磨阻挡层、垫氧化层及部分深度的半导体衬底，其中，刻蚀所述垫氧化层和部分深度的半导体衬底的同时在第二开口侧壁形成聚合物，使得半导体衬底内的第二开口侧壁具有一定的倾斜度；对所述第二开口暴露出的半导体衬底进行刻蚀，形成侧壁倾斜的沟槽；在所述沟槽内和研磨阻挡层上形成绝缘材料，并对所述绝缘材料进行化学机械研磨，直到终止于研磨阻挡层，形成浅沟槽隔离结构。