[发明专利]自加热效应的模型参数提取方法有效
| 申请号： | 201210564101.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103020371B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吉远倩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自加热效应的模型参数提取方法，利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I‑V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I‑V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，进而提取自加热效应模型的模型参数。避免了采用两套检测系统可能引发的系统误差，且本发明实施例利用同一套测试系统获得两组测试数据，可以直接将所述两组测试数据进行比较，避免两套检测系统获得的两组测试数据后需要导出后再进行比较，节省了时间。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 效应 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，包括：提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；利用同一测试系统产生电压值相同的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I‑V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I‑V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I‑V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I‑V特性曲线；将第一I‑V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；给出具有自加热效应模型的器件模型参数初始值，所述具有自加热效应模型的器件模型的参数初始值中关于自加热效应模型的模型参数为经验值，其余模型参数为所述不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；将第二I‑V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取自加热效应模型的模型参数。
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