[发明专利]自加热效应的模型参数提取方法

权利要求书

1.一种自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，包括：

提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；

利用同一测试系统产生电压值相同的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I-V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I-V特性曲线；

将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；

给出具有自加热效应模型的器件模型参数初始值，所述具有自加热效应模型的器件模型的参数初始值中关于自加热效应模型的模型参数为经验值，其余模型参数为所述不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；

将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取自加热效应模型的模型参数。

2.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，还包括：将若干个具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压施加在所述MOS晶体管的漏极上，获得对应的漏极电流，并根据漏极电流的大小选择第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压。

3.如权利要求2所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最大时，其中脉冲持续时间最长的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第一脉冲持续时间，脉冲持续时间小于或等于所述第一脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第一脉冲漏极电压。

4.如权利要求2所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最小时，其中脉冲持续时间最短的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第二脉冲持续时间，脉冲持续时间大于或等于所述第二脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第二脉冲漏极电压。

5.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，采用全局优化或局部优化将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，采用全局优化或局部优化将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。

6.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，利用最小二乘法的曲线拟合将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，利用最小二乘法的曲线拟合将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。

7.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，将不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第一I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改模型参数，直到所述不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第一I-V特性曲线相拟合；将具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第二I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改模型参数，直到所述具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第二I-V特性曲线相拟合。

8.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述第一I-V特性曲线和第二I-V特性曲线为漏极电流和漏极电压的I-V特性曲线。

9.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述器件模型为HiSIMSOI模型或BSIMSOI模型。

10.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述采用SOI衬底的MOS晶体管为体引出结构器件或浮体结构器件。