[发明专利]拓扑绝缘体结构有效
| 申请号： | 201210559554.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103022344A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;C01B19/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底及设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0.05 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘体 结构 | ||
【主权项】：
一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底；设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1‑x)2‑yTe3表示，其中0.05
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