[发明专利]拓扑绝缘体结构

权利要求书

1.一种拓扑绝缘体结构，包括：

绝缘基底；

设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；

其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cr_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃表示，其中0.05<x<0.3，0<y<0.3，且1:2<x:y<2:1，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。

2.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，2:3≤x:y≤25:22。

3.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为5QL。

4.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该绝缘基底的材料为钛酸锶。

5.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该拓扑绝缘体结构进一步包括一背栅电极设置在该绝缘基底的远离该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的表面。

6.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜为Cr_0.15(Bi_0.10Sb_0.9)_1.85Te₃，厚度为5QL，绝缘基底的材料为钛酸锶。

7.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的载流子浓度为1×10¹³cm^-2以下。

8.如权利要求1所述的拓扑绝缘体结构，其特征在于，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的反常霍尔电阻R_AH为7.74kΩ≤R_AH≤25.8kΩ，且反常霍尔角α≥0.2。