[发明专利]电平移位电路及半导体集成电路有效
申请号: | 201210559335.8 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103178826B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 大岛和晃 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种具有较简单的电路结构的电平移位电路。本发明是一种电平移位电路,包括其源电极及第一栅电极被施加第一电源电位且其第二栅电极被施加第二电源电位的第一晶体管;以及被施加第一输入信号,作为电源电压被供应第一电源电位减第一晶体管的阈值电压的变化量而获得的电位或第三电源电位,输出第一输出信号的反相器电路,其中第一晶体管在氧化物半导体膜中形成沟道形成区。 | ||
搜索关键词: | 电平 移位 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
一种电平移位电路,包括:第一晶体管,包括:第一栅电极;第二栅电极;源电极;以及设置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的沟道形成区;与所述第一晶体管电连接的第一反相器电路,该第一反相器电路包括输入端子;与所述第一反相器电路电连接的第一输出端子;以及与所述第一反相器电路及所述第一输出端子电连接的第二反相器电路,该第二反相器电路包括第二输出端子,其中,所述第一栅电极及所述源电极配置为被供应第一电源电位,所述第二栅电极配置为被供应第二电源电位,所述第一反相器电路及所述第二反相器电路配置为被供应第三电源电位作为电源电位,所述输入端子配置为被供应输入信号,所述第三电源电位或所述第一电源电位减所述第一晶体管的阈值电压的变化量而获得的电位被供应到所述第一反相器电路作为电源电压,第一输出信号从所述第一反相器电路被输出,所述第一输出信号输入到所述第二反相器电路,所述第三电源电位或所述第一电源电位减所述第一晶体管的所述阈值电压的变化量而获得的所述电位被供应到所述第二反相器电路作为电源电压,第二输出信号从所述第二反相器电路被输出,并且所述第一晶体管的所述沟道形成区形成在氧化物半导体膜中。
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