[发明专利]一种离子掺杂型电光晶体材料的制备与应用

摘要

本发明涉及一种离子掺杂型电光功能晶体材料的生长及制备表征方法，晶体具有通式M:KTa_1-xNb_xO₃(M=Fe,Cu,Co,Ni;0.33≤x≤0.5)，晶体具有钙钛矿型结构，居里点位于-15~90℃之间，离子掺杂浓度重量百分比0~0.5%。本发明的主要特征是采用提拉法生长晶体，粉料制备过程中一次和二次烧结之间加入掺杂离子金属氧化物，经适当的配料设计和生长工艺优化，得到不同离子掺杂的M:KTa_1-xNb_xO₃系列晶体，并针对晶体的二次电光效应提供一种测定方法。对比发现经离子掺杂的M:KTN晶体二次电光系数普遍高于纯KTN晶体，表明离子掺杂的确可以改善KTN晶体的电光效应。

主权项

具有通式M: KTa_1‑xNb_xO₃的电光晶体，晶体组分Nb含量为0.33≤x≤0. 5，居里点位于‑15~90°C之间，居里点以上晶体为立方相，m3m点群；居里点以下为四方相，4mm点群。