[发明专利]一种离子掺杂型电光晶体材料的制备与应用无效
申请号: | 201210555832.0 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103882524A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 山东省科学院新材料研究所 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250014*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 掺杂 电光 晶体 材料 制备 应用 | ||
1.具有通式M: KTa1-xNbxO3的电光晶体,晶体组分Nb含量为0.33≤x≤0. 5,居里点位于-15~90°C之间,居里点以上晶体为立方相,m3m点群;居里点以下为四方相,4mm点群。
2.如权利要求1所述的电光晶体,其特征在于M为Fe, Cu, Co, Ni,且掺杂重量百分比为0~0.5 wt %。
3.一种M:KTa1-xNbxO3晶体的制备方法,以K2CO3、Nb2O5、Ta2O5为原料、CuO、CoO、NiO和Fe2O3为掺杂离子,采用提拉法生长,包括如下步骤:(1)根据晶体组分,按照KT-KN固溶体相图选择配料,经过两次烧结,得到M:KTN 多晶料,其中掺杂离子在一次和二次烧结之间加入;(2)在单晶提拉炉中生长晶体;加热体为白金坩埚,生长气氛为大气气氛;在1150~1250°C化料,在1110~1200°C之间生长晶体,经下种-收颈-放肩-等颈生长等过程,得到M:KTN晶体,生长周期5~10天;(3)晶体生长过程结束后,以适当的降温速率降至室温,取出晶体。
4.如权利要求3所述M:KTN晶体的制备方法,其特征在于原料配比K2CO3:(Nb2O5+Ta2O5)按照摩尔比(1.1~1.2):1称量,掺杂离子氧化物按照原料总质量的0~0.5%加入CuO、CoO、NiO或Fe2O3。
5.如权利要求3所述M:KTN晶体的生长方法,其特征在于晶体生长的提拉速度为0.25~0.5毫米/小时,晶转4~10转/分钟。
6.如权利要求3所述M:KTN晶体的生长过程,其特征在于晶体降温过程中经过居里点时的降温速率为1~2°C/小时。
7.一种权利要求1所述的M:KTN晶体的应用,其应用温度范围为居里点以上1~5°C。
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