[发明专利]可修补数据线之画素电极结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210555676.8 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103207482A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 齐国杰;洪和平;舒凡霞 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/13;G02F1/1333
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明是揭露一种可修补数据线之画素电极结构及其制作方法,其是形成二金属层,此包含一晶体管之闸极、源极、汲极、一闸极线与一资料线,并于闸极下方形成一氧化半导体层,位于数据线下方或上方的氧化半导体层具有一高导电区。晶体管本身与其上方更分别形成有一绝缘层,且最上方之绝缘层形成有一电极层,以连接汲极。本发明在不影响画素开口率之前提下,利用高导电区以修补断线时之数据线,以保持讯号稳定性。
搜索关键词: 修补 数据线 电极 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种可修补数据线之画素电极结构,包含:一透明基板;一缓冲层,设于该透明基板上;一氧化物半导体层,设于该缓冲层上,以形成相隔离之一第一高导电区与一晶体管之一通道区;一第一绝缘层,设于该氧化物半导体层与该缓冲层上;一第一金属层,设于该第一绝缘层上,以形成该晶体管之闸极与一闸极线,该闸极位于该通道区上方;一第二绝缘层,设于该第一金属层与该第一绝缘层上;二个第一通孔,其是贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层,以露出该通道区;一第二金属层,设于该第二绝缘层上,并透过该些第一通孔和该通道区相接触,该第二金属层是形成该晶体管之源极、汲极与一数据线,该数据线位于该第一高导电区上方;一第三绝缘层,设于该第二金属层上,该第三绝缘层具有位于该汲极上方之一第二通孔;以及一电极层,设于该第三绝缘层上,并藉该第二通孔与该汲极相接触。
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