[发明专利]可修补数据线之画素电极结构及其制作方法

权利要求书

1.一种可修补数据线之画素电极结构，包含：

一透明基板；

一缓冲层，设于该透明基板上；

一氧化物半导体层，设于该缓冲层上，以形成相隔离之一第一高导电区与一晶体管之一通道区；

一第一绝缘层，设于该氧化物半导体层与该缓冲层上；

一第一金属层，设于该第一绝缘层上，以形成该晶体管之闸极与一闸极线，该闸极位于该通道区上方；

一第二绝缘层，设于该第一金属层与该第一绝缘层上；

二个第一通孔，其是贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层，以露出该通道区；

一第二金属层，设于该第二绝缘层上，并透过该些第一通孔和该通道区相接触，该第二金属层是形成该晶体管之源极、汲极与一数据线，该数据线位于该第一高导电区上方；

一第三绝缘层，设于该第二金属层上，该第三绝缘层具有位于该汲极上方之一第二通孔；以及

一电极层，设于该第三绝缘层上，并藉该第二通孔与该汲极相接触。

2.如请求项1所述之可修补数据线之画素电极结构，其中该闸极线连接该闸极，该数据线是连接该源极，且该闸极线与该资料线垂直交会。

3.如请求项1所述之可修补数据线之画素电极结构，其中该信道区具有露出该闸极之部分，其是形成有一第二高导电区。

4.如请求项3所述之可修补数据线之画素电极结构，其中该第一高导电区与该第二高导电区皆由该氧化物半导体层进行脱氧、或加氢或稀有气体而形成。

5.如请求项4所述之可修补数据线之画素电极结构，其中该稀有气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。

6.如请求项1所述之可修补数据线之画素电极结构，其中该氧化物半导体层之材质为氧化铟镓锌（IGZO），且该电极层之材质为氧化铟锡（ITO）。

7.一种可修补数据线之画素电极结构之制作方法，包含下列步骤：

于一透明基板上依序形成一缓冲层及包含相隔离之一修补线区与一晶体管之一通道区的一氧化物半导体层；

形成一第一绝缘层于该氧化物半导体层与该缓冲层上；

形成一第一金属层于该第一绝缘层上，该第一金属层包含该晶体管之闸极与一闸极线，该闸极位于该通道区上方；

以该闸极为罩幕，以在该修补线区中形成一第一高导电区；

形成一第二绝缘层于该第一金属层与该第一绝缘层上；

形成贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层之二个第一通孔，以露出该通道区；

形成一第二金属层于该第二绝缘层上，以透过该些第一通孔和该通道区相接触，该第二金属层包含该晶体管之源极、汲极与一数据线，该数据线位于该第一高导电区上方；

形成一第三绝缘层于该第二金属层上，该第三绝缘层具有位于该汲极上方之一第二通孔；以及

形成一电极层于该第三绝缘层上，以藉该第二通孔与该汲极相接触。

8.如请求项7所述之可修补数据线之画素电极结构之制作方法，其中该闸极线连接该闸极，该数据线是连接该源极，且该闸极线与该资料线垂直交会。

9.如请求项7所述之可修补数据线之画素电极结构之制作方法，其中在该修补线区中形成该第一高导电区之步骤中，是于该修补线区与该通道区中分别形成该第一高导电区与一第二高导电区。

10.如请求项9所述之可修补数据线之画素电极结构之制作方法，其中该第一高导电区与该第二高导电区皆由该氧化物半导体层进行脱氧、或以离子植入法加氢或加稀有气体而形成。

11.如请求项10所述之可修补数据线之画素电极结构之制作方法，其中该稀有气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。

12.如请求项7所述之可修补数据线之画素电极结构之制作方法，其中该氧化物半导体层之材质为氧化铟镓锌（IGZO）。