[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210552997.2 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871886B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极、位于伪栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区；在半导体衬底上形成层间介质层，覆盖所述源区和漏区；形成层间介质层后，使用干法刻蚀去除所述伪栅极，形成伪栅沟槽；在干法刻蚀去除所述伪栅极后，使用湿法腐蚀去除在所述干法刻蚀过程中产生的聚合物，其中，使用的腐蚀剂的PH值大于6小于7或大于7小于8，且所述腐蚀剂中包含氟化物；在湿法腐蚀去除所述聚合物后，在所述伪栅沟槽中形成栅极。使用本发明的腐蚀剂，伪栅沟槽侧壁和底部的聚合物基本去除，栅极可以与栅介质层，也与伪栅沟槽侧壁的栅极形成无障碍接触。本发明晶体管的形成方法提升了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极、位于伪栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述伪栅极的材料为多晶硅、氮化硅或无定形碳；在半导体衬底上形成层间介质层，覆盖所述源区和漏区；形成层间介质层后，使用干法刻蚀去除所述伪栅极，形成伪栅沟槽，使用的刻蚀气体为O2；在干法刻蚀去除所述伪栅极后，使用湿法腐蚀去除在所述干法刻蚀过程中产生的聚合物，其中，使用的腐蚀剂的PH值大于6小于7或大于7小于8，且所述腐蚀剂中包含氟化物，所述氟化物包括含氟乙烯；在湿法腐蚀去除所述聚合物后，在所述伪栅沟槽中形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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