[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极、位于伪栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述伪栅极的材料为多晶硅、氮化硅或无定形碳；

在半导体衬底上形成层间介质层，覆盖所述源区和漏区；

形成层间介质层后，使用干法刻蚀去除所述伪栅极，形成伪栅沟槽，使用的刻蚀气体为O₂；

在干法刻蚀去除所述伪栅极后，使用湿法腐蚀去除在所述干法刻蚀过程中产生的聚合物，其中，使用的腐蚀剂的PH值大于6小于7或大于7小于8，且所述腐蚀剂中包含氟化物，所述氟化物包括含氟乙烯；

在湿法腐蚀去除所述聚合物后，在所述伪栅沟槽中形成栅极。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述腐蚀剂还包括双氧水，双氧水的质量浓度小于1％。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，使用干法刻蚀去除所述伪栅极，使用的刻蚀气体还包括NF₃、HBr或CF₄中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成伪栅极、源区、漏区的方法，包括：

沉积伪栅极材料，覆盖半导体衬底；

图形化所述伪栅极材料，形成所述伪栅极；

在所述伪栅极两侧的半导体衬底中进行离子注入，形成源区和漏区。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成栅极的方法，包括：

沉积导电材料，覆盖层间介质层、填充伪栅沟槽；

去除高出所述层间介质层的导电材料，剩余所述伪栅沟槽中的导电材料，作为栅极。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，还包括形成位于所述栅极下的高K介质层，作为栅介质层；

形成所述高K介质层的方法，包括：

在湿法腐蚀去除所述聚合物后，沉积所述导电材料前，沉积高K介质层材料，覆盖层间介质层、填充伪栅沟槽；

去除高出所述层间介质层的导电材料时，也去除高出层间介质层的高K介质层材料，剩余所述伪栅沟槽中的高K介质层，作为栅介质层。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，去除高出所述层间介质层的导电材料的方法，包括化学机械抛光或回刻。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅极的材料包括：Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi的一种或多种。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在半导体衬底上形成源区和漏区之前，形成位于所述伪栅极周围的侧墙。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成位于伪栅极周围的侧墙的方法，包括：沉积侧墙材料，覆盖半导体衬底、伪栅极；

使用回刻工艺刻蚀所述侧墙材料，在伪栅极周围形成侧墙。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管或P型晶体管。