[发明专利]用于异质结构的场效应晶体管的屏蔽罩有效
| 申请号： | 201210552008.X | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103178106A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | A·康迪莫夫 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 徐燕;杨勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于提供具有改进性能和/或产生减少噪声的异质结型场效应晶体管（HFET）的器件。一个栅电极位于所述有源区的一部分上方并被配置为调制HFET的所述有源区中的一个传导沟道。所述有源区在一个半导体膜中位于源电极和漏电极之间。一个第一钝化膜位于所述有源区上方。一个封装膜位于所述第一钝化膜上方。在所述封装膜上的第一金属模包括一个位于所述有源区的大部分上方的屏蔽罩，并且电连接至所述源电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结构 场效应 晶体管 屏蔽 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：异质结构的场效应晶体管（HFET），该异质结构的场效应晶体管在半导体膜中具有一个位于源电极和漏电极之间的有源区，其中：一个栅电极位于所述有源区的一部分上方并被配置为调制所述有源区中的一个传导沟道；第一钝化膜，位于所述有源区上方；封装膜，位于所述第一钝化膜上方；以及第一金属模，在所述封装膜上，其中所述第一金属模包括一个位于所述有源区的大部分上方的屏蔽罩，并且电连接至所述源电极。
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