[发明专利]一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法

摘要

本发明提供了一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法，在下P型GaN层和P型AlGaN层之间引入P-In_xGa_1-xN/P-Al_yIn_zGa_1-y-zN空穴注入层，引入P-InGaN层有利于空穴的积累，从而增加P-InGaN处空穴浓度，增强空穴的注入。同时P-AlInGaN的引入提高了有效势垒高度减少了电子的泄漏，使电子和空穴在发光量子阱区域的复合效率得到提高，进而提高器件内量子效率。本发明的外延片按常规芯片工艺，制成单颗尺寸为10×23mil、以ITO为透明电极的LED芯片，经过芯片测试，测试电流20mA，单颗芯片光输出功率可得到10%-25%的提升。

主权项

一种提高内量子效率的LED外延结构，其包括衬底、低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、下p型GaN层、p型AlGaN层、上p型GaN层、高掺杂p型电极接触层，其特征在于：在所述下p型GaN层和p型AlGaN层之间引入空穴注入层，所述空穴注入层为至少一个周期的P‑In_xGa_1‑xN/ P‑Al_yIn_zGa_1‑y‑zN结构，其中0<x<1，0<y<1、0≤z<1、0<y+z<1。