[发明专利]半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在对应位置上的绝缘介质层中形成的通孔内，形成金属半导体化合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体化合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内的物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体化合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体化合物，使得通孔内的导电材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含：A.在半导体衬底上制备至少一个晶体管；其中，每一个晶体管均具有源极和漏极；B.在每一个晶体管的源极和漏极形成任何金属半导体化合物接触区之前，在至少一个晶体管上覆盖绝缘层；C.对所述绝缘层进行刻蚀，在所述晶体管的源极和漏极上形成通孔；D.在所述晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在所述通孔内形成金属半导体化合物，将所述晶体管的源极和漏极引出。