[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含：

A.在半导体衬底上制备至少一个晶体管；其中，每一个晶体管均具有源极和漏极；

B.在每一个晶体管的源极和漏极形成任何金属半导体化合物接触区之前，在至少一个晶体管上覆盖绝缘层；

C.对所述绝缘层进行刻蚀，在所述晶体管的源极和漏极上形成通孔；

D.在所述晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在所述通孔内形成金属半导体化合物，将所述晶体管的源极和漏极引出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述步骤D中，包含以下子步骤：

D1-1.在所述通孔内，淀积一层硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构层；

D1-2.在所述硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构之上，淀积金属层；

D1-3.将所述淀积了金属层的晶体管放置在微波加热设备的腔体内，进行加热退火，得到金属半导体化合物；所述微波加热设备的腔体在加热时采用多模态和多频率的电磁波；

D1-4.进行化学机械抛光CMP，去除所述通孔外的金属层及金属半导体化合物，保留所述晶体管的源极和漏极、所述通孔内形成的金属半导体化合物。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤D1-1之后，在所述步骤D1-2之前，还包含以下步骤：

进行CMP，去除所述通孔以外的硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述步骤D中，包含以下子步骤：

D2-1.在所述通孔的内壁淀积金属薄层；

D2-2.在所述金属薄层之上淀积一层硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构；

D2-3.将所述淀积了金属层的晶体管放置在微波加热设备的腔体内，进行加热退火，得到金属半导体化合物；所述微波加热设备的腔体在加热时采用多模态和多频率的电磁波；

D2-4.进行CMP，去除通孔外的金属层及金属半导体化合物，保留所述晶体管的源极和漏极、所述通孔内形成的金属半导体化合物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤D2-2之后，在所述步骤D2-3之前，还包含以下步骤：

在所述硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构之上，淀积金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述步骤D中，包含以下子步骤：

D3-1.在所述通孔的内壁淀积金属薄层；

D3-2.在所述金属薄层之上淀积一层硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构；

D3-3.进行CMP，将所述通孔外的金属、硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构去除；

D3-4.将所述进行CMP之后的晶体管放置在微波加热设备的腔体内，进行加热退火，在所述晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，在所述通孔内形成金属半导体化合物。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤D3-3之后，在所述步骤D3-4之前，还包含以下步骤：

在所述硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构之上，淀积金属层；

在所述步骤D3-4之后，还包含以下步骤：

进行CMP，去除通孔外的金属层，保留所述晶体管的源极和漏极、所述通孔内形成的金属半导体化合物。

8.根据权利要求4至7任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步D2-1中，包含以下子步骤：

在所述通孔的内壁淀积第一金属层，得到淀积在所述通孔底部和侧壁上的第一金属层薄膜；

湿法去除所述通孔内壁上淀积的第一金属层薄膜；

在所述通孔的内壁淀积第二金属层；

其中，所述第一金属层和所述第二金属层的种类相同。