[发明专利]大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构在审
| 申请号： | 201210544943.1 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871874A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴贵松;程勇;杨秀斌;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构，該方法通过一组芯片串联叠加形成芯片组，以提高硅瞬态电压抑制二极管的瞬态脉冲峰值功率。本发明采用多个芯片叠加，芯片与芯片之间采用钼铜片焊接，很好的解决了提高瞬态脉冲峰值功率与热匹配之间的矛盾。可以制作出瞬态脉冲功率为20KW～50KW的大功率硅瞬态电压抑制二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 瞬态 电压 抑制 二极管 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于：該方法通过一组芯片串联叠加形成芯片组，以提高硅瞬态电压抑制二极管的瞬态脉冲峰值功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
