[发明专利]大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构

权利要求书

1. 一种大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于：該方法通过一组芯片串联叠加形成芯片组，以提高硅瞬态电压抑制二极管的瞬态脉冲峰值功率。

2.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片采用热膨胀系数约等于6.95×10^-6/℃的硅片制成；硅片两面进行多元金属化处理，在芯片表面形成钛—镍—金或钛—镍—银层，以解决焊接可靠性问题。

3.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片为正六边形。

4.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片组的两端以及芯片与芯片之间通过焊片焊接，焊片与芯片材料的热膨胀系数之差小于0.7×10^-6/℃，以解决芯片与焊片之间的热匹配问题。

5.根据权利要求4所述制作方法，其特征在于：所述焊片采用热膨胀系数约等于7.6×10^-6/℃，热导率约等于190W/m.K，厚度为0.5mm的钼铜片，钼铜片为外切于芯片的圆形。

6.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片组包括两个芯片，以承受20KW～30KW瞬态脉冲峰值功率。

7.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片组包括三个芯片，以承受35KW～40KW瞬态脉冲峰值功率。

8.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于：所述芯片组包括四个芯片，以承受45KW～50KW瞬态脉冲峰值功率。

9.一种根据权利要求1-8任一权利要求所述制作方法构成的大功率硅瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括与负极（1）连接的基座（2），基座（2）上设有一组间隔设置的钼铜片（3）和芯片（4）；顶部钼铜片经触丝（5）与正极（6）连接；基座（2）上设有管壳（7），管壳（7）顶部设有绝缘密封（8）。