[发明专利]化学机械研磨作业方法无效
| 申请号： | 201210544306.4 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103862361A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 唐锦来 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械研磨作业方法，采用生长单晶硅或多晶硅的硅片作为先导片，所述先导片是指在作业产品前，使机台各项性能指标达到一个稳定的标准的假片。优化研磨程式，使反复使用的先导片表面仍能保持直径大于0.20μm的颗粒数小于50颗的水准，并采用清洗刷开放式的清洗程式作业先导片，而在产品作业时采用清洗刷闭合的程式作业，从而杜绝了因先导片颗粒状况不佳导致的产品颗粒增多的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 作业 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨作业方法，其特征在于：包含如下步骤：第1步，采用硅片作为先导片，所述先导片是指在作业产品前，使机台各项性能指标达到一个稳定的标准的假片。在研磨先导片程式后加入一步软毛研磨垫研磨，使用研磨液在低压力下进行研磨；第2步，研磨后对硅片进行超声波震荡清洗；第3步，采用清洗刷开放式的清洗程式作业先导片；第4步，采用清洗刷闭合的程式作业产品。
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