[发明专利]化学机械研磨作业方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨作业方法，其特征在于：包含如下步骤：

第1步，采用硅片作为先导片，所述先导片是指在作业产品前，使机台各项性能指标达到一个稳定的标准的假片。在研磨先导片程式后加入一步软毛研磨垫研磨，使用研磨液在低压力下进行研磨；

第2步，研磨后对硅片进行超声波震荡清洗；

第3步，采用清洗刷开放式的清洗程式作业先导片；

第4步，采用清洗刷闭合的程式作业产品。

2.如权利要求1所述的化学机械研磨作业方法，其特征在于：所述第1步中，硅片先导片采用生长有单晶硅或者多晶硅的硅片。

3.如权利要求1所述的化学机械研磨作业方法，其特征在于：所述第1步中，研磨液采用超纯水。

4.如权利要求1所述的化学机械研磨作业方法，其特征在于：所述第1步中，低压力下进行研磨的压力范围为1～3PSI，研磨时间为1～3分钟，去除先导片表面大颗粒及研磨液残留物。

5.如权利要求1所述的化学机械研磨作业方法，其特征在于：所述第2步中，超声波震荡清洗的时间为1～4分钟，去除先导片表面的颗粒残留。

6.如权利要求5所述的化学机械研磨作业方法，其特征在于：所述第3步中，首先采用1～2分钟的氢氟酸喷涂先导片表面，溶解先导片表面的颗粒，再采用1～2分钟的超纯水清洗先导片。