[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201210542190.0 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103872233A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、设置在该基板上的电极结构及设置于该基板上且与该电极结构电性连接的发光二极管芯片，该基板包括一板体和内嵌地设置于该板体内的若干导热柱，该若干导热柱彼此间隔设置且均位于发光二极管芯片正下方的板体区域内，该发光二极管芯片与该若干导热柱热接触。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括基板、设置在该基板上的电极结构及设置于该基板上且与该电极结构电性连接的发光二极管芯片，其特征在于：该基板包括一板体和内嵌地设置于该板体内的若干导热柱，该若干导热柱彼此间隔设置且均位于发光二极管芯片正下方的板体区域内，该发光二极管芯片与该若干导热柱热接触。
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