[发明专利]Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210541828.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103060757A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 曹铃;李秀燕;杨致 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法是采用脉冲激光沉积法，将NiO、MgO和Li2CO3粉末球磨混合后，压型并高温烧结，制得掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶材；再将陶瓷靶材与衬底置入脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下进行生长，后冷却至室温，获得Li掺杂Ni1-xMgxO晶体薄膜。本发明方法所制备的晶体薄膜呈p型电导，具有低电阻率、高透射率、高载流子迁移率和带隙连续可调等优良特性；而且方法简单，实现了实时掺杂，掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和Mg的含量来控制，得到的薄膜在透明电子和光电子器件等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | li 掺杂 生长 透明 导电 ni sub mg 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种Li掺杂生长p型透明导电Ni1‑xMgxO晶体薄膜的方法，包括脉冲激光沉积法，其具体方法步骤如下：1）将纯度≥99.99%的NiO、MgO和Li2CO3粉末，其中Mg的摩尔百分含量x为099.999%的O2为生长气氛，控制压强为0.1~20 Pa，激光频率为3~5 Hz，生长时间为20~120 min，进行生长，后冷却至室温，获得Li掺杂p型透明导电Ni1‑xMgxO晶体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学，未经太原理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210541828.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一次性超声手术刀
- 下一篇：肛肠专用新型多功能液针刀
- 同类专利
- 专利分类
