[发明专利]Li掺杂生长p型透明导电Ni1-xMgxO晶体薄膜的方法

权利要求书

1.一种Li掺杂生长p型透明导电Ni_1-xMg_xO晶体薄膜的方法，包括脉冲激光沉积法，其具体方法步骤如下：

1）将纯度≥99.99%的NiO、MgO和Li₂CO₃粉末，其中Mg的摩尔百分含量x为0<x<40%，Li的摩尔百分含量y为0<y<10%，球磨混合均匀后压制成型，在800 °C预烧结1小时以上，再在1100~1200 °C烧结4小时以上，制得掺Li的Ni_1-xMg_xO陶瓷靶材； 

2）将上述步骤1) 制得的掺Li的Ni_1-xMg_xO陶瓷靶材与用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗并用氮气吹干的衬底置入脉冲激光沉积装置的生长室中，调整靶材与衬底之间的距离为4~6 cm，生长室背底真空度为10^-4 Pa，衬底加热温度为300~500 °C，以纯度>99.999%的O₂为生长气氛，控制压强为0.1~20 Pa，激光频率为3~5 Hz，生长时间为20~120 min，进行生长，后冷却至室温，获得Li掺杂p型透明导电Ni_1-xMg_xO晶体薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其所获得Li掺杂p型透明导电Ni_1-xMg_xO晶体薄膜在氧气气氛保护下原位退火30 min后缓慢冷却至室温。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其所述Li掺杂p型透明导电Ni_1-xMg_xO晶体薄膜的厚度为50~400 nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其所述衬底是硅、蓝宝石、玻璃或石英。